Amerikalik fiziklar elektron mahsulotlarning tarkibiy qismi hisoblanuvchi dunyodagi eng mitti elektron tranzistorni ishlab chiqishdi. Mikrosxemaning tortilish uzunligi bir nanometr keladi, deyiladi Science jurnalida chop etilgan maqolada.
Bu natijaga tranzistorda molibden sulfidini qo‘llash natijasida erishilgan. Bu material kremniy bilan qiyoslaganda past dielektrik o‘tkazuvchanlik xususiyatiga ega. Shu sababli, qurilmadagi kuchlanish boshqaruvini kichik o‘lchamdagi tortishlar – bir nanometr qalinlikdagi uglerod nanoquvurchasi yordamida amalga oshirish mumkin bo‘ladi.
Shu bilan olimlarning tadqiqoti elektron komponentlarning jismoniy o‘lchamlariga qo‘yilgan cheklovlarni anglatuvchi Mur qonunini chetlab o‘tishga imkon berdi. Bugungi kunda, ushbu qonunga muvofiq, 5 nanometrdan kichik kremniyli tranzistorlarni ishlab chiqish mumkin emas edi.
Hozirda, 14 nanometrli texnologik jarayon bo‘yicha ishlab chiqilgan kremniyli mikrosxemalar eng samaralisi hisoblanadi. Intel, Qualcomm va MediaTek kabi yetakchi chip ishlab chiqaruvchilar yangi 10 nanometrli avlod ustida ish olib borayapti.
