Amerikalik olimlar molibden disulfidi negizida bir atom qalinligidagi axborot saqlagichni yaratishdi. U bor-yo‘g‘i bir kvadrat nanometr joy egallaydi. Bunday saqlagichga axborotni yozish zichligi zamonaviy flesh-xotiralarnikidan taxminan 100 marta kattaroqdir.
Yangi qurilma o‘zidan memristorni aks ettiradi. Olimlar o‘zi orqali o‘tgan elektr zaryadiga bog‘liq holda o‘z qarshiligini o‘zgartiruvchi xotira elementlarini shunday atashadi.
Memristorlar zaryadni “eslab qolishi” mumkin, buning hisobiga ularni tranzistorlar o‘rniga ishlatish mumkin. Memristorlar zamonaviy flesh-xotiralardan tezroq ishlaydi, ularga ko‘proq axborot yozish mumkin.
Bungacha qalinligi atom o‘lchamiga yaqin bo‘lgan yupqa materiallar memristor bo‘la olmaydi deb hisoblangan. Biroq Ostindagi Texas universiteti olimlari o‘tkazgan tajribalar buni inkor etgan.
Yangi saqlagichning sinovlari unga axborot yozish zichligi bir santimetr kvadratga 25 terabaytni tashkil qilishini ko‘rsatgan. Bu esa zamonaviy flesh-xotiralar zichligidan 100 marta ko‘proqni tashkil qiladi. Olimlar bunday qurilmalar neyromorf hisoblash tizimlari, yangi radioaloqa tizimlari uchun asos bo‘lishiga umid qilishmoqda.
