Америкалик физиклар электрон маҳсулотларнинг таркибий қисми ҳисобланувчи дунёдаги энг митти электрон транзисторни ишлаб чиқишди. Микросхеманинг тортилиш узунлиги бир нанометр келади, дейилади Science журналида чоп этилган мақолада.

Бу натижага транзисторда молибден сульфидини қўллаш натижасида эришилган. Бу материал кремний билан қиёслаганда паст диэлектрик ўтказувчанлик хусусиятига эга. Шу сабабли, қурилмадаги кучланиш бошқарувини кичик ўлчамдаги тортишлар – бир нанометр қалинликдаги углерод наноқувурчаси ёрдамида амалга ошириш мумкин бўлади. 

Шу билан олимларнинг тадқиқоти электрон компонентларнинг жисмоний ўлчамларига қўйилган чекловларни англатувчи Мур қонунини четлаб ўтишга имкон берди. Бугунги кунда, ушбу қонунга мувофиқ, 5 нанометрдан кичик кремнийли транзисторларни ишлаб чиқиш мумкин эмас эди. 

Ҳозирда, 14 нанометрли технологик жараён бўйича ишлаб чиқилган кремнийли микросхемалар энг самаралиси ҳисобланади. Intel, Qualcomm ва MediaTek каби етакчи чип ишлаб чиқарувчилар янги 10 нанометрли авлод устида иш олиб бораяпти.