Samsung Electronics компанияси Санта-Кларадаги (Калифорния, АҚШ) Flash Memory Summit 2016 тадбирида 32 Тбайт ли қаттиқ диск (SSD) тақдим қилди.
Маълум қилинишича, диск 512 Гб ли, 4 авлод хотира флеш-чиплари Vertical NAND (V-NAND) асосида яратилган. V-NAND технологияси флеш-хотира кристалларининг вертикал бўйича компоновка қилинишини кўзда тутади: бу микрочипнинг 3 ўлчамли структурасини олишга ва майдон бирлигига сақланадиган маълумотнинг миқдорини бир неча баробар оширишга имкон беради.
Янги дискда 16 та қатламга бирлаштирилган 512 та V-NAND чипи қўлланган. Йиғиндида улар 32 Тбайт лик хотира беради.
Диск 2,5 дюйм ўлчамдаги шаклда бажарилган; уни улаш учун Serial Attached SCSI (SAS) интерфейси қўлланади. Қурилма корпоратив синфдаги қурилмаларда фойдаланиш учун мўлжалланган.
Дискни оммавий равишда кейинги йилдан ишлаб чиқариш режалаштирилмоқда. Унинг нархи ҳақида ҳозирча маълумот берилмаган.