Samsung’га патентни бузгани учун 400 млн долларлик жарима солинди

Техас округ суди Samsung Electronics компаниясини Даллас яқинида жойлашган Корея илғор технологиялари институти (KAIST IP US) патент бюросига тегишли патентни бузганликда айбдор деб топди. Шу сабабли суд Samsung’га 400 млн долларлик жарима солган.

Bloomberg ахборот агентлигининг маълум қилишича, гап FinFet технологияси – микрочипнинг унумдорлигини сезиларли оширишга ва шу билан бирга унинг энергия сарфини камайтиришга имкон берувчи транзистор ҳақида кетмоқда. KAIST IP US’нинг баёнотига кўра, Samsung дастлаб ушбу ихтирони майда деб ҳисоблаб, унга беписандгина муносабат билдирган. Бироқ бу транзисторга Samsung’нинг яримўтказгичлар бозоридаги асосий рақобатчиси Intel эътибор қаратгандан кейин у ҳам бу технология устида ишлаш билан шуғуллана бошлаган. Компания шу тариқа Intel ва KAIST ўртасидаги келишувни бузган.

Жанубий Корея компаниясининг таъкидлашича, у технологияни яратиш устида Корея институти билан биргаликда ишлаган ва шу сабабли ихтирога ҳуқуқни бузган ҳисобланмайди. Компания суд қарори устидан арз қилмоқчи.