Америкалик олимлар молибден дисульфиди негизида бир атом қалинлигидаги ахборот сақлагични яратишди. У бор-йўғи бир квадрат нанометр жой эгаллайди. Бундай сақлагичга ахборотни ёзиш зичлиги замонавий флэш-хотираларникидан тахминан 100 марта каттароқдир.
Янги қурилма ўзидан мемристорни акс эттиради. Олимлар ўзи орқали ўтган электр зарядига боғлиқ ҳолда ўз қаршилигини ўзгартирувчи хотира элементларини шундай аташади.
Мемристорлар зарядни “эслаб қолиши” мумкин, бунинг ҳисобига уларни транзисторлар ўрнига ишлатиш мумкин. Мемристорлар замонавий флэш-хотиралардан тезроқ ишлайди, уларга кўпроқ ахборот ёзиш мумкин.
Бунгача қалинлиги атом ўлчамига яқин бўлган юпқа материаллар мемристор бўла олмайди деб ҳисобланган. Бироқ Остиндаги Техас университети олимлари ўтказган тажрибалар буни инкор этган.
Янги сақлагичнинг синовлари унга ахборот ёзиш зичлиги бир сантиметр квадратга 25 терабайтни ташкил қилишини кўрсатган. Бу эса замонавий флэш-хотиралар зичлигидан 100 марта кўпроқни ташкил қилади. Олимлар бундай қурилмалар нейроморф ҳисоблаш тизимлари, янги радиоалоқа тизимлари учун асос бўлишига умид қилишмоқда.
