Samsung Electronics kompaniyasi Santa-Klaradagi (Kaliforniya, AQŞ) Flash Memory Summit 2016 tadbirida 32 Tbayt li qattiq disk (SSD) taqdim qildi.
Ma'lum qilinişiça, disk 512 Gb li, 4 avlod xotira fleş-çiplari Vertical NAND (V-NAND) asosida yaratilgan. V-NAND texnologiyasi fleş-xotira kristallarining vertikal böyiça komponovka qilinişini közda tutadi: bu mikroçipning 3 ölçamli strukturasini olişga va maydon birligiga saqlanadigan ma'lumotning miqdorini bir neça barobar oşirişga imkon beradi.
Yangi diskda 16 ta qatlamga birlaştirilgan 512 ta V-NAND çipi qöllangan. Yiğindida ular 32 Tbayt lik xotira beradi.
Disk 2,5 dyuym ölçamdagi şaklda bajarilgan; uni ulaş uçun Serial Attached SCSI (SAS) interfeysi qöllanadi. Qurilma korporativ sinfdagi qurilmalarda foydalaniş uçun möljallangan.
Diskni ommaviy ravişda keyingi yildan işlab çiqariş rejalaştirilmoqda. Uning narxi haqida hozirça ma'lumot berilmagan.
