Amerikalik fiziklar elektron mahsulotlarning tarkibiy qismi hisoblanuvçi dunyodagi eng mitti elektron tranzistorni işlab çiqişdi. Mikrosxemaning tortiliş uzunligi bir nanometr keladi, deyiladi Science jurnalida çop etilgan maqolada.
Bu natijaga tranzistorda molibden sulfidini qöllaş natijasida erişilgan. Bu material kremniy bilan qiyoslaganda past dielektrik ötkazuvçanlik xususiyatiga ega. Şu sababli, qurilmadagi kuçlaniş boşqaruvini kiçik ölçamdagi tortişlar – bir nanometr qalinlikdagi uglerod nanoquvurçasi yordamida amalga oşiriş mumkin böladi.
Şu bilan olimlarning tadqiqoti elektron komponentlarning jismoniy ölçamlariga qöyilgan çeklovlarni anglatuvçi Mur qonunini çetlab ötişga imkon berdi. Bugungi kunda, uşbu qonunga muvofiq, 5 nanometrdan kiçik kremniyli tranzistorlarni işlab çiqiş mumkin emas edi.
Hozirda, 14 nanometrli texnologik jarayon böyiça işlab çiqilgan kremniyli mikrosxemalar eng samaralisi hisoblanadi. Intel, Qualcomm va MediaTek kabi yetakçi çip işlab çiqaruvçilar yangi 10 nanometrli avlod ustida iş olib borayapti.
